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地 址：上海市普陀區(qū)中江路889號曹楊商務(wù)大廈1501室
日本OMRON一般用限位開關(guān)E3G-L73 2M
特點：
頭部、外殼和罩蓋配有堅固表面以保持強度。
*的頭部結(jié)構(gòu)提供了大OT的平穩(wěn)操作。
導(dǎo)管開口設(shè)計易于接線。
印刷設(shè)備、成型設(shè)備和照明設(shè)備的理想之選。 （在接觸油、水、雨水的環(huán)境中請選用WL或D4C等具有高 密封性的開關(guān)。）
各型號均帶有符合CE標(biāo)志的接地端子。
獲得CCC （中國標(biāo)準(zhǔn)）認(rèn)證。
種類：
| 驅(qū)動桿 | 型號 | |
|---|---|---|
| 滾珠擺桿型 |
| HL-5000 * |
| 可調(diào)式滾珠擺桿型 |
| HL-5030 * |
| 可調(diào)式棒式擺桿型 |
| HL-5050 * |
| 密封柱塞型 |
| HL-5100 * |
| 密封滾珠柱塞型 |
| HL-5200 |
| 盤簧型 |
| HL-5300 |
規(guī)格
| 額定 電壓 | 非感性負(fù)載 (A) | 感性負(fù)載 (A) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 電阻負(fù)載 | 燈負(fù)載 | 感性負(fù)載 | 電動機負(fù)載 | |||||
| NC | NO | NC | NO | NC | NO | NC | NO | |
| AC125V AC250V | 5 5 | 1.5 1 | 0.7 0.5 | 3 3 | 2 1.5 | 1 0.8 | ||
| DC12V DC24V DC125V DC250V | 5 5 | 3 3 | 4 4 | 3 3 | ||||
| 0.4 0.4 | 0.2 0.2 | - - | - - | - - | ||||
注1. 上述數(shù)值表示穩(wěn)定電流。
2. 所謂感性負(fù)載，是指功率因數(shù)0.4以上 (AC)、時間常數(shù) 負(fù)載。
3. 所謂燈負(fù)載，就是有10倍的浪涌電流的負(fù)載。
4. 所謂電動機負(fù)載，就是有6倍的浪涌電流的負(fù)載。
| 浪涌 電流 | NC | 24 A以下 |
|---|---|---|
| NO | 12 A以下 |
特性：
| 防護等級 | IP65 | |
|---|---|---|
| 壽命* | 機械 | 1,000萬次以上(額定條件下) |
| 電氣 | 請參見catalog | |
| 容許操作速度 | 5mm/s ~ 0.5m/s | |
| 容許操作 頻率 | 機械 | 120次/分鐘 |
| 電氣 | 30次/分鐘 | |
| 絕緣電阻 | 小100MΩ (DC500V時) | |
| 接觸電阻 | 25 mΩ以下(初期值) | |
| 絕緣強度 | AC1,000V， 50/60 Hz， 1分鐘， 同子間 | |
| AC1,500V， 50/60 Hz， 1分鐘， 在帶電金屬部件和接地之間 | ||
| AC1,500V， 50/60 Hz， 1分鐘， 在每個端子和非帶電金屬部件之間 | ||
| 額定頻率 | 50/60 Hz | |
| 耐振動 | 誤動作 | 10～55Hz雙振幅1.5mm |
| 耐沖擊 | 毀壞 | 1,000m/s2以下 |
| 誤動作 | 300m/s2以下 | |
| 使用環(huán)境溫度 | -5°C～+65°C (無結(jié)冰) | |
| 使用環(huán)境濕度 | 35～95%RH | |
| 質(zhì)量 | 約130～190 g | |
關(guān)于使用環(huán)境 •
在室外或有特殊的切削油、 溶劑、 藥品等的環(huán)境中， 密封材料 可能會變質(zhì)。 請確認(rèn)實際使用條件后再確定維護及更換時間。
• 請將開關(guān)安裝在不會直接接觸到切屑或塵埃的位置。必須保證驅(qū) 動桿和開關(guān)本體上不會堆積切削屑和泥狀物質(zhì)。
• 開關(guān)受到連續(xù)的振動和沖擊時，產(chǎn)生的磨損粉末可能導(dǎo)致接點接 觸不良和動作失常、耐久性下降等問題。此外，如有過大的振動 和沖擊，可能會發(fā)生接點的誤動作和破損等，因此請將其安裝在 不會受到振動和沖擊的位置和不會發(fā)生共振的方向上。
• 開關(guān)具有物理接點。環(huán)境中如果存在硅氣體，則電弧能量會使得 氧化硅(SiO2)堆積在接點上，導(dǎo)致接觸不良。開關(guān)周圍有硅油、 硅填充劑、硅電線等硅制品時，請通過接點保護電路來抑制電弧 并消除產(chǎn)生硅氣體的源頭。
